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MIC离子氮化+PVD
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MIC离子氮化+PVD

设备简介

MIC离子氮化+PVD涂层设备是我公司新近研发生产的一体化镀膜设备,这款设备采用新型大面积阴极电弧、磁控溅射、IET刻蚀辅助技术、离子源、离子氮化等镀膜技术,可以实现离子氮化加PVD涂层在同一制程中完成。这种双工艺的组合使涂层表面具有更高的硬度,同时降低磨损。可广泛应用于航空航天、汽车工业、切削刀具、模具及零部件。

设备特点

  • 离子氮化+PVD涂层一体化                                 
  • 渗氮速度快,2-3小时氮化深度可达到40-60微米
  • 渗氮深度和结构的可控性强
  • 无氮化白层,涂层结合力好
  • 工艺程序高度重复运行
  • 稳定的控制系统,使操作更轻松
  • 远程智能操控和诊断功能

设备参数

设备型号

MIC-N900

MIC-N1200

MIC-N1800

有效涂层区域

∅700×600

∅700×900

∅700×1500

可选配置

大面积阴极电弧、磁控溅射、离子氮化、离子源、灯丝、偏压

涂层工艺时间

10-14h

涂层类别

TiN、CrN、TiCN、AlTiN、AlCrN、AlTiSiN、AlCrSiN等

系统最高温度

500℃

沉积温度

<500℃

最大载荷重量

1000Kg/2000Kg

涂层性能参数

涂层类型

涂层厚度(μm)

涂层硬度

(HV)

工作温度

工艺周期

(h)

耐高温氧化

耐腐蚀性

氮化涂层一体

8-12

3000-3500

460-480

10-14

 

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